ALD-Anlage
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Key information
Overview
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt für die Dünnschichtabscheidung eine Plasma-gestützte Atomlagenabscheidungsanlage (kurz: PE-ALD, engl. Plasma enhanced atomic layer deposition) aus, welche zum Abscheiden von Dünnschichten auf unterschiedlichen Substraten vom Einzelchipformat (5 x 5 mm²) bis mindestens 150 mm Wafer eingesetzt werden soll. Die zentralen Anforderungen an das System sind reproduzierbare Abscheideprozesse verschiedener leitfähiger, halbleitender und dielektrischer Schichten. Diese sollen auch ohne Vakuumunterbrechung (Multilagen) prozessiert werden. Ein Steuer-PC mit Monitor, Tastatur, Maus, entsprechender Software-Lizenzen und aktuellem Betriebssystem (Win 11) ist mitzuliefern.
Jena, 07745, Jena, Germany
#Bekanntmachungs-ID: CXP4YBRM3BQ#
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt für die Dünnschichtabscheidung eine Plasma-gestützte Atomlagenabscheidungsanlage (kurz: PE-ALD, engl. Plasma enhanced atomic layer deposition) aus, welche zum Abscheiden von Dünnschichten auf unterschiedlichen Substraten vom Einzelchipformat (5 x 5 mm²) bis mindestens 150 mm Wafer eingesetzt werden soll. Die zentralen Anforderungen an das System sind reproduzierbare Abscheideprozesse verschiedener leitfähiger, halbleitender und dielektrischer Schichten. Diese sollen auch ohne Vakuumunterbrechung (Multilagen) prozessiert werden. Ein Steuer-PC mit Monitor, Tastatur, Maus, entsprechender Software-Lizenzen und aktuellem Betriebssystem (Win 11) ist mitzuliefern.
Jena, 07745, Jena, Germany
Als Budget steht ein maximaler Betrag in Höhe von 549.000 Euro brutto zur Verfügung.